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[发明专利]具有带有负间距的引线的半导体封装-CN202010126813.0在审
发明人： T·施特克;D·阿勒斯;S·马海因尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种模制半导体封装包括：模制化合物；具有嵌入模制化合物中的第一端和从模制化合物的侧面突出的第二端的多个引线；以及嵌入模制化合物中并在模制化合物内电连接到多个引线的半导体管芯。多个引线中的每个引线的第二端具有底表面，该底表面与模制化合物的底部主表面面向相同的方向。多个引线中的每个引线的底表面与模制化合物的底部主表面共面或设置于模制化合物的底部主表面上方的平面中，使得多个引线中没有引线延伸至模制化合物的底部主表面下方。
具有带有间距引线半导体封装

[发明专利]制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法-CN202010398117.5在审
发明人： H·H·张;S·L·吴;S·K·李;F·M·卢姆;M·穆罕默特萨努西;M·C·吴;A·索里亚诺 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种模制的半导体封装体包括：模制化合物，其具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面以及在所述第一与第二主表面之间延伸的边缘。半导体芯片嵌入在所述模制化合物中。多个金属焊垫也嵌入在所述模制化合物中并电连接至所述半导体芯片。所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述第二主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面。设置在所述模制的封装体的周边的所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面。所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的所述面被镀覆。设置在所述模制的封装体的周边的每个金属焊垫的所述侧面从所述模制化合物的所述边缘向内凹进。还对一种相应的制造方法进行了描述。
制造具有光学检测特征半导体封装方法

[发明专利]制造具有光学检测特征的模制的半导体封装体的方法-CN201710116951.9有效
发明人： H·H·张;S·L·吴;S·K·李;F·M·卢姆;M·穆罕默特萨努西;M·C·吴;A·索里亚诺 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种模制的半导体封装体包括：模制化合物，其具有第一主表面、与所述第一主表面相反的第二主表面以及在所述第一与第二主表面之间延伸的边缘。半导体芯片嵌入在所述模制化合物中。多个金属焊垫也嵌入在所述模制化合物中并电连接至所述半导体芯片。所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述第二主表面处未被所述模制化合物覆盖的底面。设置在所述模制的封装体的周边的所述金属焊垫具有在所述模制化合物的所述边缘处未被所述模制化合物覆盖的侧面。所述金属焊垫的未被所述模制化合物覆盖的所述面被镀覆。设置在所述模制的封装体的周边的每个金属焊垫的所述侧面从所述模制化合物的所述边缘向内凹进。还对一种相应的制造方法进行了描述。
制造具有光学检测特征半导体封装方法

[发明专利]多级3D堆叠式封装和其形成方法-CN202180081683.6在审
发明人： J·C·科斯塔;G·马克西姆;B·斯科特 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：每个裸片区段包含基本上不包含硅基板并且具有几微米与几十微米之间的厚度的薄化裸片、模制化合物和中间模制化合物。在本文中，所述薄化裸片和所述模制化合物设置在所述重布结构上方，所述模制化合物围绕所述薄化裸片且竖直地延伸超过所述薄化裸片的顶表面以在所述薄化裸片上方且在所述模制化合物内限定开口，所述中间模制化合物位于所述薄化裸片上方且填充所述内部模制化合物内的所述开口，使得所述中间模制化合物的顶表面与所述模制化合物的顶表面共面。
多级堆叠封装形成方法

[发明专利]用于包封电子元件的模制化合物和封装体-CN202111233067.6在审
发明人： A·瓦特洛;S·施瓦布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种用于包封电子元件的封装体包括第一固化模制化合物，其中，所述第一固化模制化合物包括树脂和嵌入所述树脂中的填料颗粒。所述填料颗粒包括第二固化模制化合物。所述第一固化模制化合物基于第一固化行为，所述第二固化模制化合物基于不同于所述第一固化行为的第二固化行为。
用于电子元件化合物封装

[发明专利]在倒装多矩阵阵列封装中的模制化合物盖及其制作工艺-CN200480018629.3有效
发明人： V·莱波尼耶;R·哈瑞斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：公开了一种模制化合物盖结构。还公开了一种形成所述模制化合物盖结构的工艺。同时还公开了使用所述模制化合物盖结构的微电子封装。也公开了装配微电子封装的方法。还公开了包括有该模制化合物盖结构的计算系统。所述模制化合物盖不可考暴露微电子设备的一部分的一种配置。
倒装矩阵阵列封装中的化合物及其制作工艺

[发明专利]半导体封装-CN201710512717.8在审
发明人：林志伟;陈星兆;谢静华;余振华;刘重希;陈孟泽;邱圣翔;翁圣丰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：所述半导体封装包括芯片、模制化合物、及介电层。所述芯片上具有连接件。所述模制化合物包封所述芯片，其中所述模制化合物的表面实质上低于所述芯片的有源表面。所述介电层设置在所述芯片及所述模制化合物之上，其中所述介电层具有平的表面，且所述介电层的材料不同于所述模制化合物的材料。
模制化合物介电层芯片半导体封装表面实质连接件源表面包封

[发明专利]倒装芯片模块及其制造方法-CN202210148387.X在审
发明人：朱利奥·C·科斯塔;托马斯·斯科特·莫里斯;乔纳森·哈勒·哈蒙德;大卫·扬德金斯基;斯蒂芬·帕克;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，第一模制化合物位于顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于第一模制化合物的第一部分之上并且具有延伸穿过第一模制化合物的第一部分到达顶表面的第一组互连件，第一模制化合物的第一部分填充第一薄化的倒装芯片管芯和顶表面之间的区域；第二模制化合物，位于载体之上并且与第一模制化合物接触并且在第一薄化的倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，第一凹陷延伸到第一薄化的倒装芯片管芯的第一管芯表面；第三模制化合物，位于第一凹陷中并覆盖第一薄化的倒装芯片管芯的第一暴露表面，第三模制化合物包括导热添加剂以提供通过第三模制化合物的导热。
倒装芯片模块及其制造方法

[发明专利]具有增强性能的晶片级扇出封装-CN201980077328.4在审
发明人：乔纳森·哈勒·哈蒙德;朱利奥·C·科斯塔;乔恩·查德威克 -专利权人： QORVO美国公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶片级扇出封装，其包含第一经薄化裸片(12T)、第二裸片(14)、所述第一经薄化裸片和所述第二裸片下方的多层重布结构(16)、所述第二裸片上方的第一模制化合物(18)、所述多层重布结构上方以及所述第一经薄化裸片和所述第二裸片周围的第二模制化合物(20)，以及第三模制化合物(22)。所述第二模制化合物延伸超出所述第一经薄化裸片以界定所述第二模制化合物内和所述第一经薄化裸片上方的开口(42)，使得所述第一经薄化裸片的顶部表面在所述开口的底部处。所述第一模制化合物的顶部表面和所述第二模制化合物的顶部表面是共面的。所述第三模制化合物填充所述开口且与所述第一经薄化裸片的所述顶部表面接触。
具有增强性能晶片级扇出封装

[发明专利]用于通过使用背侧模制配置(BSMC)来改进封装翘曲和连接可靠性的工艺-CN201180023796.7有效
发明人：奥马尔·J·贝希尔;米林德·P·沙阿;萨斯达尔·莫瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种用于制造经封装集成电路的背侧模制配置BSMC工艺包含将模制化合物施加到封装衬底的与所附接裸片相反的侧。所述模制化合物沉积在电介质(例如光致抗蚀剂)上。在将裸片耦合到所述封装衬底之后对所述模制化合物和电介质进行图案化，以使所述封装衬底的接触垫暴露。在对所述模制化合物和电介质进行图案化之后，通过所述模制化合物和电介质将封装连接耦合到接触垫。环绕所述封装连接的所述模制化合物减少了所述封装衬底在处理期间的翘曲。另外，在附接所述裸片之后对所述电介质进行图案化改进了所述封装连接的可靠性。
用于通过使用背侧模制配置 bsmc 改进封装连接可靠性工艺

[发明专利]模制化合物和具有模制化合物的半导体封装-CN201910307781.1在审
发明人： A·毛德;O·黑尔蒙德;P·伊尔西格勒;H·梅尔兹纳;S·米特哈纳;S·施密特;H-J·舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：公开了一种模制化合物和一种具有模制化合物的半导体装置。模制化合物包括：基质；以及包括填充物颗粒的填充物。填充物颗粒均包括内核和电绝缘封盖，所述内核包括导电或者半导电材料。
模制化合物填充物颗粒内核半导电材料半导体封装半导体装置填充物电绝缘导电封盖基质

[发明专利]用非电式镀覆法在封装模制体中形成导电连接迹线-CN201811365720.2在审
发明人： C·H·丹尼许;N·莫尔班;Y·C·傅;K·C·苏;S·H·文森特杨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：第一封装的半导体器件包括具有第一端子的第一半导体裸片、电连接到第一端子的第一导电引线以及包封第一半导体裸片的电绝缘的第一模制化合物，所述第一模制化合物使第一导电引线的端部部分在第一模制化合物的外表面处暴露导电迹线形成在第一模制化合物的外表面中。形成导电迹线包括激活第一模制化合物的外表面的一部分以用于非电式镀覆工艺，以及执行非电式镀覆工艺以便仅在第一模制化合物的外表面的激活部分内形成导电材料。
第一模镀覆半导体裸片半导体器件导电迹线导电引线封装激活导电材料导电连接外表面处电绝缘电连接封装模包封迹线制体暴露

[发明专利]具有隔离层的引线框架封装-CN202111213373.3在审
发明人： S·施瓦布;A·罗特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：公开了一种集成电路封装，其包括引线框架和包封所述引线框架的至少一部分的模制化合物。所述模制化合物包括在所述模制化合物的底表面处开口的腔体，所述腔体暴露所述引线框架的底表面。导热且电绝缘的隔离层被锁定在所述模制化合物的所述底部腔体内并接触所述引线框架的底表面。
具有隔离引线框架封装

[发明专利]得到腐蚀保护的模制化合物-CN202010076365.8在审
发明人： A·罗特;E·里德尔;S·施瓦布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种模制化合物(106)，其包括以下成分：由聚合物树脂(202)构成的基质(200)、用于促进所述模制化合物(106)的粘附的游离增粘剂(204)、用于固化所述聚合物树脂(202)的固化剂(206)、以及用于催化所述模制化合物(106)的形成的催化剂(214)，基于所述模制化合物(106)的总重量，所述游离增粘剂(204)小于0.1重量百分比；以及填充剂(208)。
得到腐蚀保护化合物

[实用新型]电子器件-CN201820746446.2有效
发明人： A·卡达格;E·小安蒂拉诺;E·M·卡达格 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：第一引线与第一管芯焊盘相关联，并且第二引线与第二管芯焊盘相关联；多个凹部，在第一引线与第二引线之间被定位在引线框的第二侧上；第一孔，被定位在第一管芯焊盘与第一引线之间；第二孔，被定位在第二管芯焊盘与第二引线之间；第一多个模制化合物部分，第一多个模制化合物部分中的一个模制化合物部分占据第一孔，并且第一多个模制化合物部分中的另一模制化合物部分占据第二孔；以及第二多个模制化合物部分，第二多个模制化合物部分中的每个模制化合物部分在邻近多个凹部中的每个凹部的位置处被定位在引线框的第一侧上
模制化合物管芯焊盘第二管引线框凹部焊盘电子器件关联位置处占据邻近

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